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C4D02120A Rev. C
Electrical Characteristics
Symbol
Parameter
Typ.
Max.
Unit
Test Conditions
Note
VF
Forward
Voltage
1.4
1.9
1.8
3
V
IF
= 2 A T
J=25°C
IF
= 2 A T
J=175°C
IR
Reverse
Current
10
40
50
150
μA
VR
=
1200
V
TJ=25°C
VR
=
1200
V
TJ=175°C
QC
Total
Capacitive
Charge
11
nC
VR
=
800
V,
IF
= 2A
di/dt
=
200
A/μs
TJ
=
25°C
C
Total
Capacitance
167
11
8
pF
VR
=
0
V,
TJ
=
25°C,
f
=
1
MHz
VR
=
400
V,
TJ
=
25?C,
f
=
1
MHz
VR
=
800
V,
TJ
=
25?C,
f
=
1
MHz
Note:
1.
This
is
a
majority
carrier
diode,
so
there
is
no
reverse
recovery
charge.
Thermal Characteristics
Symbol
Parameter
Typ.
Max.
Unit
Test Conditions
Note
RθJC
Thermal
Resistance
from
Junction
to
Case
2.5
°C/W
Typical Performance
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
I
F
Forward Current (A)
VFForward VoltageV
F
(V)
Figure
1.
Forward
Characteristics
Figure
2.
Reverse
Characteristics
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1
0
500
1000
1500
I
R
Reverse Current (mA)
VRReverse Voltage (V)V
R
(V)
TJ=-55°C
TJ=
25°C
TJ=
75°C
TJ
=125°C
TJ
=175°C
TJ=-55°C
TJ=
25°C
TJ=
75°C
TJ
=125°C
TJ
=175°C
I
F
(A)
I
R
(mA)
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